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第A07版:澳聞 上一版3  4下一版  
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今日日期: 2025年1月26日星期日     版面導航
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2025 1月10日 星期
 
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理大研納米磁助半導體產業



王 鐸

    理大研納米磁助半導體產業

    由澳門理工大學應用科學學院博士王鐸,瑞典烏普薩拉大學,美國內布拉斯加大學卡尼爾分校,山東高等技術研究院,東南大學課題組成員組成的研究團隊,在納米磁性領域取得新突破,透過深入研究磁斯格明子的複雜行為,提出一種產生極性斯格明子的機制,研究成果在國際頂尖期刊《自然》系列之《npj二維材料與應用》上發表,為半導體材料研發提供新的思路和基礎,有望打破半導體技術的物理極限,推動電子設備的體積和性能的進化。

    半導體是先進科技的基石,科學家用其控制電流的特性,製作出電子零件,廣泛應用於電腦、智能手機、智能家電等電子產品,成就現代數碼生活。科學家一直致力於探索能製作更微型、更高效能電子元件的材料,並於二○○九年發現了一種納米磁結構,稱為磁斯格明子。研究成果將顯著提高電子元件存儲性能,促使電子產品運行速度更快、功耗更低、更省電節能,有提升電腦,甚至有潛力提升未來量子電腦的資料處理速度。研究發現將助力新一代納米技術和半導體產業發展,在未來電子產品的研發中發揮至關重要的作用。

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