美半導體管制加碼 國產化提速
十月七日,美國商務部工業與安全局發佈公告,對中國先進計算和半導體製造項目實施新的出口管制,31家中國實體被納入“未經核實清單”。該舉動是迄今為止最廣泛對華半導體技術的遏制措施,旨在減緩中國軍事項目進展。
半導體領域出口管制存在持續加碼風險,產業鏈各環節國產化重要性凸顯。本次美國對中國半導體產業的出口管制加碼,除禁止美國公司向中國出口先進晶片或技術,還禁止向中國提供世界任何地方使用美國設備及工具製造的某些半導體晶片。將迫使美國和使用美國技術的外國公司切斷對一些中國最先進技術企業和晶片設計者支援。
半導體製造技術上,明確限制:一、具有16nm或14nm以下制程的非平面晶體管結構的邏輯晶片;二、半間距為18nm及以下的DRAM存儲晶片;三、128層及以上層數的NAND閃存晶片。
此前,已陸續有《晶片與科學法案》、針對4項“新興和基礎技術”的臨時最終規定等舉措,從後續展望看,不排除限制措施有持續加碼風險,進一步凸顯中國半導體產業鏈各環節實現國產化的重要性,設備端、材料端國產化有望提速。
短期看,自主可控邏輯下,半導體材料國產化訴求強烈,供應體系中的材料龍頭企業有望加速提升市場份額。在國產替代趨勢下,一方面原有大廠供貨比例提升,另一方面新建晶圓廠有望搶佔基線,切入前期的合作開發中。
中長期看,儘管設備端的限制加碼或將延遲部分新建晶圓廠產能落地進度,但成熟制程領域預計受影響有限。在原有晶圓廠保持產能負荷的同時,伴隨新建晶圓廠產能落地帶來增量,材料需求將持續增長。同時,技術升級帶動材料的更迭及市場規模提升,更精密的先進制程、更高的堆疊層數、更多的工藝步驟等都將帶來材料價值量提升與用量提升。
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